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Toshiba Semiconductor and Storage
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Prezzo unitario : € 0,28000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6
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RN49A1(TE85L,F)

Codice DigiKey
264-RN49A1(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN49A1(TE85L,F)
Descrizione
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 200MHz, 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6
Attributi del prodotto
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Categoria
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
300mV a 250µA, 5mA
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Stato componente
Obsoleto
Frequenza - Transizione
200MHz, 250MHz
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi)
Potenza - Max
200mW
Corrente - Collettore (Ic) max
100mA
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50V
Contenitore/involucro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1)
5,6A (Ta), 11,7A (Tc)
Contenitore del fornitore
US6
Resistore - Base emettitore (R2)
47kohm
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RN4989(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage0264-RN4989(TE85LF)CT-ND€ 0,28000Simile
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