RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Array di transistor bipolari, pre-polarizzati

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RN1961(TE85L,F)
Codice DigiKey	RN1961(TE85LF)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RN1961(TE85LF)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	RN1961(TE85L,F)
Descrizione	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 2 NPN - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 250MHz 200mW A montaggio superficiale US6
Modelli EDA/CAD	RN1961(TE85L,F) Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Array di transistor bipolari, pre-polarizzati	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 30 a 10mA, 5V
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 300mV a 250µA, 5mA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)
Stato componente Obsoleto	Frequenza - Transizione 250MHz
Tipo di transistor 2 NPN - pre-polarizzati (doppi)	Potenza - Max 200mW
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Resistore - Base (R1) 4,7kohm	Contenitore del fornitore US6
Resistore - Base emettitore (R2) 4,7kohm	Codice componente base RN1961

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RN1901,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	3 291	RN1901LF(CTCT-ND	€ 0,20000	Simile
MUN5232DW1T1G	onsemi	38	MUN5232DW1T1GOSCT-ND	€ 0,22000	Simile
PUMH15,115	Nexperia USA Inc.	1 904	1727-1981-1-ND	€ 0,17000	Simile
SMUN5232DW1T1G	onsemi	1 795	488-SMUN5232DW1T1GCT-ND	€ 0,25000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,35000	€ 0,35
10	€ 0,21500	€ 2,15

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,42700

RN1961(TE85L,F)