RN1108ACT(TPL3) è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 14 989
Prezzo unitario : € 0,14000
Scheda tecnica
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 80 mA 100 mW A montaggio superficiale CST3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

RN1108ACT(TPL3)

Codice DigiKey
RN1108ACT(TPL3)TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
RN1108ACT(TPL3)
Descrizione
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati NPN - pre-polarizzato 50 V 80 mA 100 mW A montaggio superficiale CST3
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Resistore - Base emettitore (R2)
47 kOhms
Produttore
Toshiba Semiconductor and Storage
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce
80 a 10mA, 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic
150mV a 250µA, 5mA
Stato componente
Obsoleto
Corrente - Interruzione collettore (max)
500nA
Tipo di transistor
NPN - pre-polarizzato
Potenza - Max
100 mW
Corrente - Collettore (Ic) max
80 mA
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
50 V
Contenitore/involucro
SC-101, SOT-883
Resistori inclusi
R1 e R2
Contenitore del fornitore
CST3
Resistore - Base (R1)
22 kOhms
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
RN1108MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage14 989RN1108MFVL3FCT-ND€ 0,14000Simile
Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.