MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Transistor RF bipolari

MT3S113(TE85L,F) è obsoleto e non è più in produzione.

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MT3S113(TE85L,F)
Codice DigiKey	264-MT3S113(TE85L,F)TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 264-MT3S113(TE85L,F)CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Codice produttore	MT3S113(TE85L,F)
Descrizione	RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ S MINI
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistore RF NPN 5,3V 100mA 12,5GHz 800mW A montaggio superficiale S-Mini
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor RF bipolari	Potenza - Max 800mW
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage	Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 a 30mA, 5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Corrente - Collettore (Ic) max 100mA
Stato componente Obsoleto	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Tipo di transistor NPN	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 5,3V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequenza - Transizione 12,5GHz	Contenitore del fornitore S-Mini
Cifra di rumore (dB tip. a f) 1,45dB a 1GHz	Codice componente base MT3S113
Guadagno 11,8dB

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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