Name: CSD88539NDT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37796-2-ND
Price: 1.891 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

CSD88539NDT
Codice DigiKey	296-37796-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37796-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37796-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD88539NDT
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 15A 2.1W A montaggio superficiale 8-SOIC
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD88539NDT Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 3,6V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 9,4nC a 10V
Serie NexFET™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 741pF a 30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2.1W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 60V	Contenitore del fornitore 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 15A	Codice componente base CSD88539
RDSon (max) a Id, Vgs 28mohm a 5A, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 5 864

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,55000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,89100

CSD88539NDT