Name: CSD87313DMST
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-46623-2-ND
Price: 3.233 EUR
Availability: InStock

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CSD87313DMST
Codice DigiKey	296-46623-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-46623-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-46623-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD87313DMST
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 2,7W A montaggio superficiale 8-WSON (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD87313DMST Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	Drain comune a 2 canali N (duale)
Funzione FET	-
Tensione drain/source (Vdss)	30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	-
RDSon (max) a Id, Vgs	-
Vgs(th) max a Id	1,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	28nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4290pF a 15V
Potenza - Max	2,7W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN
Contenitore del fornitore	8-WSON (3,3x3,3)
Codice componente base	CSD87313

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)