MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA
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MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA

CSD86311W1723

Codice DigiKey
296-27599-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-27599-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-27599-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
CSD86311W1723
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD86311W1723 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
39mohm a 2A, 8V
Produttore
Texas Instruments
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 4,5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
585pF a 12,5V
Stato componente
Attivo
Potenza - Max
1,5W
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Funzione FET
Porta a livello logico
Contenitore/involucro
12-UFBGA, DSBGA
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Contenitore del fornitore
12-DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5A
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
In magazzino: 1 692
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Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,36000€ 1,36
10€ 0,85900€ 8,59
100€ 0,57150€ 57,15
500€ 0,44806€ 224,03
1 000€ 0,40833€ 408,33
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,33446€ 1 003,38
6 000€ 0,31074€ 1 864,44
9 000€ 0,29865€ 2 687,85
15 000€ 0,29853€ 4 477,95
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,65920