MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA
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MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA

CSD86311W1723

Codice DigiKey
296-27599-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-27599-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-27599-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD86311W1723
Descrizione
MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 25V 4,5A 1,5W A montaggio superficiale 12-DSBGA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD86311W1723 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
25V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,5A
RDSon (max) a Id, Vgs
39mohm a 2A, 8V
Vgs(th) max a Id
1,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
585pF a 12,5V
Potenza - Max
1,5W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
12-UFBGA, DSBGA
Contenitore del fornitore
12-DSBGA
Codice componente base
CSD86311
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,28000€ 1,28
10€ 0,80900€ 8,09
100€ 0,53810€ 53,81
500€ 0,42190€ 210,95
1 000€ 0,38449€ 384,49
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,33698€ 1 010,94
6 000€ 0,31308€ 1 878,48
9 000€ 0,30090€ 2 708,10
15 000€ 0,30078€ 4 511,70
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,28000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,56160