Name: CSD85301Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-38668-2-ND
Price: 1.952 EUR
Availability: InStock

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CSD85301Q2T
Codice DigiKey	296-38668-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-38668-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-38668-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD85301Q2T
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 5A 2,3W A montaggio superficiale 6-WSON (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD85301Q2T Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	RDSon (max) a Id, Vgs 27mohm a 5A, 4,5V
Produttore Texas Instruments	Vgs(th) max a Id 1,2V a 250µA
Serie NexFET™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 5,4nC a 4,5V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 469pF a 10V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 2,3W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Funzione FET Gate livello logico, comando 5V	Contenitore/involucro 6-WDFN piazzola esposta
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore del fornitore 6-WSON (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5A	Codice componente base CSD85301

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In magazzino: 39

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,95200

CSD85301Q2T