Name: CSD75207W15
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-40008-2-ND
Price: 1.1468 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

CSD75207W15
Codice DigiKey	296-40008-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-40008-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-40008-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD75207W15
Descrizione	MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 3,9A 700mW A montaggio superficiale 9-DSBGA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD75207W15 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,1V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3,7nC a 4,5V
Serie NexFET™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 595pF a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 700mW
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione Sorgente comune (doppia) a 2 canali P	Contenitore/involucro 9-UFBGA, DSBGA
Funzione FET Porta a livello logico	Contenitore del fornitore 9-DSBGA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,9A	Codice componente base CSD75207
RDSon (max) a Id, Vgs 162mohm a 1A, 1,8V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 1 016

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,94000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,14680

CSD75207W15