Name: CSD25501F3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47556-2-ND
Price: 1.464 EUR
Availability: InStock

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CSD25501F3T
Codice DigiKey	296-47556-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-47556-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-47556-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD25501F3T
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.6A 3LGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 20 V 3,6 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 3-LGA (0,73x0,64)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD25501F3T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	FemtoFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3,6 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	76mohm a 400mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	1,05V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.33 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	-20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	385 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	3-LGA (0,73x0,64)
Contenitore/involucro	3-XFLGA
Codice componente base	CSD25501F3

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Nastrato in bobina (TR)