Canale P 20 V 3,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-DSBGA (1x1,5)
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CSD25211W1015

Codice DigiKey
296-36578-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-36578-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-36578-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD25211W1015
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 3,2 A (Ta) 1W (Ta) A montaggio superficiale 6-DSBGA (1x1,5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD25211W1015 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
3,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
2,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
33mohm a 1,5 A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
570 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
6-DSBGA (1x1,5)
Contenitore/involucro
6-UFBGA, DSBGA
Codice componente base
CSD25211
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In magazzino: 361
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 0,79000€ 0,79
10€ 0,49400€ 4,94
100€ 0,32080€ 32,08
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,16257€ 487,71
6 000€ 0,14914€ 894,84
9 000€ 0,14229€ 1 280,61
15 000€ 0,13460€ 2 019,00
21 000€ 0,13004€ 2 730,84
30 000€ 0,12586€ 3 775,80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 0,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 0,96380