Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 9-DSBGA
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CSD25202W15T

Codice DigiKey
296-CSD25202W15TTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-CSD25202W15TCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-CSD25202W15TDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD25202W15T
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4 A (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale 9-DSBGA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD25202W15T Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
26mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,05V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
-6V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1010 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
9-DSBGA
Contenitore/involucro
9-UFBGA, DSBGA
Codice componente base
CSD25202W15
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,57000€ 1,57
10€ 0,99500€ 9,95
100€ 0,66830€ 66,83
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
250€ 0,58192€ 145,48
500€ 0,52846€ 264,23
750€ 0,50120€ 375,90
1 250€ 0,47058€ 588,23
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,57000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,91540

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