Name: CSD19535KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41135-2-ND
Price: 6.893 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

CSD19535KTTT
Codice DigiKey	296-41135-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-41135-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-41135-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19535KTTT
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 200 A (Ta) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19535KTTT Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,4V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 98 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7930 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-263 (DDPAK-3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Ta)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19535
RDSon (max) a Id, Vgs 3,4mohm a 100A, 10V