Name: CSD19531Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41232-2-ND
Price: 2.5864 EUR
Availability: InStock

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CSD19531Q5A
Codice DigiKey	296-41232-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-41232-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-41232-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19531Q5A
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 100 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19531Q5A Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 48 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3870 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-VSONP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19531
RDSon (max) a Id, Vgs 6,4mohm a 16A, 10V