Canale N 80 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
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Canale N 80 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
TO-263-3

CSD19506KTTT

Codice DigiKey
296-CSD19506KTTTTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-CSD19506KTTTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
296-CSD19506KTTTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD19506KTTT
Descrizione
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 80 V 200 A (Ta) 375W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD19506KTTT Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
2,3mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
12200 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-263 (DDPAK-3)
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
CSD19506
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 6,35000€ 6,35
10€ 4,29800€ 42,98
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
50€ 3,41980€ 170,99
100€ 3,13730€ 313,73
150€ 2,99347€ 449,02
250€ 2,83176€ 707,94
350€ 2,73603€ 957,61
500€ 2,64958€ 1 324,79
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 6,35000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 7,74700