Name: CSD18535KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-48121-2-ND
Price: 4.1968 EUR
Availability: InStock

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CSD18535KTT
Codice DigiKey	296-48121-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-48121-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-48121-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD18535KTT
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 200 A (Ta) 300W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (DDPAK-3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD18535KTT Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	200 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	6620 pF @ 30 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-263 (DDPAK-3)
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base	CSD18535