Name: CSD18509Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-41075-2-ND
Price: 3.4038 EUR
Availability: InStock

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CSD18509Q5B
Codice DigiKey	296-41075-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-41075-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-41075-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD18509Q5B
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Ta) 3,1W (Ta), 195W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD18509Q5B Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 195 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13900 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,1W (Ta), 195W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Contenitore del fornitore 8-VSON-CLIP (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base CSD18509
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 32A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD18509Q5BT	Texas Instruments	11 406	296-37962-1-ND	€ 3,54000	Equivalente parametrico

In magazzino: 2 498

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,79000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,40380

CSD18509Q5B