Name: CSD17575Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37961-2-ND
Price: 2.2326 EUR
Availability: InStock

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CSD17575Q3T
Codice DigiKey	296-37961-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37961-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37961-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD17575Q3T
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 60 A (Ta) 2,8W (Ta), 108W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD17575Q3T Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4420 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 108W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 60 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base CSD17575
RDSon (max) a Id, Vgs 2,3mohm a 25A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC0902NSATMA1	Infineon Technologies	15 388	BSC0902NSATMA1CT-ND	€ 1,44000	Simile
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Quantità

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,23260

CSD17575Q3T