Name: CSD17575Q3T
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-37961-2-ND
Price: 2.1106 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

CSD17575Q3T
Codice DigiKey	296-37961-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-37961-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-37961-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD17575Q3T
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 60 A (Ta) 2,8W (Ta), 108W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD17575Q3T Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Texas Instruments
Serie	NexFET™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	60 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	30 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	4420 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,8W (Ta), 108W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN
Codice componente base	CSD17575

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

In magazzino: 12 642

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)