Canale N 30 V 87 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
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Canale N 30 V 87 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)

CSD17322Q5A

Codice DigiKey
296-29018-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
296-29018-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Texas Instruments
Codice produttore
CSD17322Q5A
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore
6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 30 V 87 A (Tc) 3W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSONP (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
CSD17322Q5A Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Texas Instruments
Serie
NexFET™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
87 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 8V
RDSon (max) a Id, Vgs
8,8mohm a 14A, 8V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
695 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
8-VSONP (5x6)
Contenitore/involucro
8-PowerTDFN
Codice componente base
CSD17322
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In magazzino: 2 472
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,47000€ 1,47
10€ 0,93300€ 9,33
100€ 0,62480€ 62,48
500€ 0,49282€ 246,41
1 000€ 0,45035€ 450,35
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,40440€ 1 011,00
5 000€ 0,37600€ 1 880,00
7 500€ 0,36393€ 2 729,47
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,47000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 1,79340