Name: CSD17309Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-27250-2-ND
Price: 1.8544 EUR
Availability: InStock

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CSD17309Q3
Codice DigiKey	296-27250-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-27250-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-27250-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD17309Q3
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 20 A (Ta), 60 A (Tc) 2,8W (Ta) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD17309Q3 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,7V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) +10V, -8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1440 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 20 A (Ta), 60 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3V, 8V	Codice componente base CSD17309
RDSon (max) a Id, Vgs 5,4mohm a 18A, 8V