Name: CSD13302WT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-CSD13302WTTR-ND
Price: 1.6592 EUR
Availability: InStock

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CSD13302WT
Codice DigiKey	296-CSD13302WTTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-CSD13302WTCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-CSD13302WTDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD13302WT
Descrizione	MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 12 V 1,6 A (Ta) 1,8W (Ta) A montaggio superficiale 4-DSBGA (1x1)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD13302WT Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,3V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.8 nC @ 4.5 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 862 pF @ 6 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1,8W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 12 V	Contenitore del fornitore 4-DSBGA (1x1)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,6 A (Ta)	Contenitore/involucro 4-UFBGA, DSBGA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 4,5V	Codice componente base CSD13302
RDSon (max) a Id, Vgs 17,1mohm a 1A, 4,5V

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,36000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,65920

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Spedito da Rochester Electronics, LLC

CSD13302WT