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Simile
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,08835
Scheda tecnica
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HS2BA | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1801-HS2BATR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | HS2BA |
Descrizione | DIODE STANDARD 100V 1.5A DO214AC |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi 100 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | HS2BA Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Produttore | Tempo di recupero inverso (Trr) 50 ns |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V |
Stato componente Attivo | Capacità a Vr, F 50pF a 4V, 1MHz |
Tecnologia | Tipo di montaggio |
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V | Contenitore/involucro |
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A | Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA) |
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1 V @ 1.5 A | Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Sostituti (6)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| HS2BA M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | HS2BAM2G-ND | € 0,00000 | Equivalente parametrico |
| HS2BA R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | HS2BAR3GTR-ND | € 0,00000 | Equivalente parametrico |
| HS2BAH | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-HS2BAHTR-ND | € 0,06448 | Equivalente parametrico |
| SA2B-M3/61T | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | SA2B-M3/61T-ND | € 0,08835 | Simile |
| US2BA | onsemi | 3 307 | US2BACT-ND | € 0,64000 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 15 000 | € 0,06518 | € 977,70 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,06518 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,07952 |
