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BZT52C8V2-G | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1801-BZT52C8V2-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZT52C8V2-G |
Descrizione | DIODE ZENER 8.2V 350MW SOD123 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 8.2 V 350 mW ±5% A montaggio superficiale SOD-123 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 700 nA @ 5 V |
Produttore | Tensione - Diretta (Vf) max a If 900 mV @ 10 mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Attivo | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore SOD-123 |
Potenza - Max 350 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 15 Ohms |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B8V2-G | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-BZT52B8V2-GTR-ND | € 0,03960 | Equivalente parametrico |
| BZT52B8V2-G RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | 5 386 | 1801-BZT52B8V2-GRHGCT-ND | € 0,21000 | Equivalente parametrico |
| BZT52C8V2-HF | Comchip Technology | 0 | 641-BZT52C8V2-HFTR-ND | € 0,04005 | Equivalente parametrico |
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,03685 | € 110,55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,03685 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,04496 |
