Consigliato dal produttore
Equivalente parametrico

BZS55C9V1 RAG | |
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Codice DigiKey | 1801-BZS55C9V1RAGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BZS55C9V1 RAG |
Descrizione | DIODE ZENER 9.1V 500MW 1206 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Diodi - Zener 9.1 V 500 mW ±5% A montaggio superficiale 1206 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BZS55C9V1 RAG Modelli |
Categoria | Corrente - Dispersione inversa a Vr 100 nA @ 6.8 V |
Produttore | Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.5 V @ 10 mA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Stato componente Obsoleto | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione - Zener (Vz) nom. | Contenitore/involucro |
Tolleranza ±5% | Contenitore del fornitore 1206 |
Potenza - Max 500 mW | Codice componente base |
Impedenza (max) (Zzt) 10 Ohms |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52C9V1 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | 3 978 | BZT52C9V1RHGCT-ND | € 0,18000 | Consigliato dal produttore |
| BZS55C9V1 | Taiwan Semiconductor Corporation | 0 | 1801-BZS55C9V1TR-ND | € 0,03152 | Equivalente parametrico |



