BYG21MHR3G Taiwan Semiconductor Corporation | Diodi singoli

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BYG21MHR3G
Codice DigiKey	BYG21MHR3GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BYG21MHR3GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Codice produttore	BYG21MHR3G
Descrizione	DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 1000 V 1,5A A montaggio superficiale DO-214AC (SMA)

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Tempo di recupero inverso (Trr) 120 ns
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation	Corrente - Dispersione inversa a Vr 1 µA @ 1000 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità a Vr, F 13pF a 4V, 1MHz
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tecnologia A valanga	Contenitore/involucro DO-214AC, SMA
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 1000 V	Contenitore del fornitore DO-214AC (SMA)
Corrente - Media rettificata (Io) 1,5A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1.6 V @ 1.5 A	Codice componente base BYG21
Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,57000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,69540

BYG21MHR3G