Name: 1N5406G
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: 1801-1N5406GTR-ND
Price: 0.5856 EUR
Availability: InStock

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1N5406G
Codice DigiKey	1801-1N5406GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1801-1N5406GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Taiwan Semiconductor Corporation
Codice produttore	1N5406G
Descrizione	DIODE STANDARD 600V 3A DO201AD
Tempi di consegna standard del produttore	6 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 600 V 3A Foro passante DO-201AD
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	1N5406G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Recupero standard > 500ns, > 200mA (Io)
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation	Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)	Capacità a Vr, F 25pF a 4V, 1MHz
Stato componente Attivo	Tipo di montaggio Foro passante
Tecnologia Standard	Contenitore/involucro DO-201AD, Assiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 600 V	Contenitore del fornitore DO-201AD
Corrente - Media rettificata (Io) 3A	Temp. di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tensione - Diretta (Vf) max a If 1 V @ 3 A	Codice componente base 1N5406

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Sostituti (15)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,48000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,58560

1N5406G