Name: IAUCN04S7L037HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L037HATMA1TR-ND
Price: 1.5006 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IAUCN04S7L037HATMA1
Codice DigiKey	448-IAUCN04S7L037HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUCN04S7L037HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUCN04S7L037HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUCN04S7L037HATMA1
Descrizione	MOSFET_(20V 40V)
Tempi di consegna standard del produttore	35 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 40V 84A (Tj) 50W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-56
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUCN04S7L037HATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,8V a 15µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20nC a 10V
Serie OptiMOS™ 7	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1340pF a 20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 50W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Configurazione 2 canale N	Qualifica AEC-Q101
Funzione FET Porta a livello logico	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 40V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 84A (Tj)	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-56
RDSon (max) a Id, Vgs 3,78mohm a 45A, 10V

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,23000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,50060

IAUCN04S7L037HATMA1