
STW26N60M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | STW26N60M2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STW26N60M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 20A TO247 |
Tempi di consegna standard del produttore | 20 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STW26N60M2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1360 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 169W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 165mohm a 10A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | 587 | 846-R6022YNZ4C13-ND | € 6,35000 | Simile |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | € 9,05000 | Simile |
| SIHG24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 378 | 742-SIHG24N65E-GE3-ND | € 6,16000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,76000 | € 3,76 |
| 10 | € 2,47200 | € 24,72 |
| 100 | € 1,74130 | € 174,13 |
| 600 | € 1,40113 | € 840,68 |
| 1 200 | € 1,30540 | € 1 566,48 |
| 2 400 | € 1,22494 | € 2 939,86 |
| 5 400 | € 1,20335 | € 6 498,09 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,76000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 4,58720 |

