Name: STQ1NK80ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-6197-3-ND
Price: 1.3542 EUR
Availability: InStock

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STQ1NK80ZR-AP
Codice DigiKey	497-6197-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-6197-3-ND - Nastrato in scatola (TB)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STQ1NK80ZR-AP
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STQ1NK80ZR-AP Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Confezionamento	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	300mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	16ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	160 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-92-3
Contenitore/involucro	Conduttori formati TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Codice componente base	STQ1NK80