Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15648-3-ND
Price: 1.1102 EUR
Availability: InStock

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STQ1HNK60R-AP
Codice DigiKey	497-15648-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15648-3-ND - Nastrato in scatola (TB)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STQ1HNK60R-AP
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STQ1HNK60R-AP Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	SuperMESH™
Confezionamento	Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	8,5ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) max a Id	3,7V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	156 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-92-3
Contenitore/involucro	TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)
Codice componente base	STQ1HNK60

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