Name: STQ1HNK60R-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15648-3-ND
Price: 1.159 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STQ1HNK60R-AP
Codice DigiKey	497-15648-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15648-3-ND - Nastrato in scatola (TB)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STQ1HNK60R-AP
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 400mA (Tc) 3W (Tc) Foro passante TO-92-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STQ1HNK60R-AP Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,7V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V
Serie SuperMESH™	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastro pre-tagliato (CT) Nastrato in scatola (TB)	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 156 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 400mA (Tc)	Contenitore/involucro TO-226-3, TO-92-3 corpo standard (TO-226AA)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STQ1HNK60
RDSon (max) a Id, Vgs 8,5ohm a 500mA, 10V

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 3 392

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in scatola (TB)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,95000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,15900

STQ1HNK60R-AP