Name: STN3P10F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STN3P10F6TR-ND
Price: 0.22747 EUR
Availability: OutOfStock

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STN3P10F6
Codice DigiKey	497-STN3P10F6TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STN3P10F6
Descrizione	SOT 223
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 100 V 3A 3,3W A montaggio superficiale SOT-223
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STN3P10F6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	3A
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	180mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	16.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	900 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,3W
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA

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Quantità

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
4 000	€ 0,18645	€ 745,80
8 000	€ 0,18177	€ 1 454,16
12 000	€ 0,17943	€ 2 153,16
20 000	€ 0,17684	€ 3 536,80
28 000	€ 0,17533	€ 4 909,24
40 000	€ 0,17387	€ 6 954,80