Name: STL8N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14991-2-ND
Price: 1.769 EUR
Availability: InStock

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STL8N10F7
Codice DigiKey	497-14991-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14991-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14991-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL8N10F7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 35 A (Tc) 3,5W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL8N10F7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2000 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	STL8