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IRLHS2242TRPBF
Infineon Technologies
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Canale P 20 V 4 A (Tc) 2,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (2x2)
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STL4P2UH7

Codice DigiKey
497-14996-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL4P2UH7
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 4A POWERFLAT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 20 V 4 A (Tc) 2,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (2x2)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STL4P2UH7 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
100mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
510 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (2x2)
Contenitore/involucro
6-PowerWDFN
Codice componente base
STL4
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