Name: STL4N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14989-2-ND
Price: 1.0736 EUR
Availability: OutOfStock

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STL4N10F7
Codice DigiKey	497-14989-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14989-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14989-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL4N10F7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4,5 A (Ta), 18 A (Tc) 2,9W (Ta), 50W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL4N10F7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.8 nC @ 10 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 408 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,9W (Ta), 50W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerFlat™ (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Ta), 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STL4
RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 2,25A, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN10H099SFG-13	Diodes Incorporated	0	DMN10H099SFG-13-ND	€ 0,28999	Simile
RBE210N10R1SZN2#HB0	Renesas Electronics Corporation	0	559-RBE210N10R1SZN2#HB0TR-ND	€ 0,30738	Simile

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