Name: STL3N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14993-2-ND
Price: 0.915 EUR
Availability: InStock

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STL3N10F7
Codice DigiKey	497-14993-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14993-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14993-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL3N10F7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 4 A (Tc) 2,4W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (2x2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL3N10F7 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	4 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	70mohm a 2A, 10V
Vgs(th) max a Id	4,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	408 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,4W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PowerFlat™ (2x2)
Contenitore/involucro	6-PowerWDFN
Codice componente base	STL3

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)