Canale N 650 V 1,8 A (Ta), 10 A (Tc) 2,8W (Ta), 70W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (8x8) HV
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STL17N65M5

Codice DigiKey
497-15145-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL17N65M5
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 1,8 A (Ta), 10 A (Tc) 2,8W (Ta), 70W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (8x8) HV
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,8 A (Ta), 10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
374mohm a 5,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
816 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,8W (Ta), 70W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFlat™ (8x8) HV
Contenitore/involucro
4-PowerVDFN
Codice componente base
STL17
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Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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Contenitore standard del produttore
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