Canale N 650 V 8,5 A (Tc) 70W (Tc) A montaggio superficiale PowerFLAT™ (5x5)
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STL11N65M5

Codice DigiKey
497-15261-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-15261-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-15261-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL11N65M5
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 8,5 A (Tc) 70W (Tc) A montaggio superficiale PowerFLAT™ (5x5)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STL11N65M5 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,5 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
530mohm a 4,25A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
644 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
70W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PowerFLAT™ (5x5)
Contenitore/involucro
8-PowerVDFN
Codice componente base
STL11
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In magazzino: 3 855
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,49000€ 2,49
10€ 1,60800€ 16,08
100€ 1,10930€ 110,93
500€ 0,91578€ 457,89
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3 000€ 0,74818€ 2 244,54
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,49000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,03780