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STL11N65M5
STMicroelectronics
In magazzino: 3 855
Prezzo unitario : € 2,49000
Scheda tecnica
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Canale N 650 V 7 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale
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STL11N65M2

Codice DigiKey
497-15053-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STL11N65M2
Descrizione
MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 7 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
670mohm a 3,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
410 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
85W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TA)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
-
Contenitore/involucro
-
Codice componente base
STL11
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