Name: STL100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13649-2-ND
Price: 3.355 EUR
Availability: InStock

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STL100N10F7
Codice DigiKey	497-13649-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13649-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13649-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STL100N10F7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 80 A (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) A montaggio superficiale PowerFlat™ (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STL100N10F7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Serie DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5680 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 100W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 80 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STL100
RDSon (max) a Id, Vgs 7,3mohm a 19A, 10V