Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 6.4782 EUR
Availability: InStock

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STH60N099DM9-2AG
Codice DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH60N099DM9-2AG
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 27 A (Tc) 179W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH60N099DM9-2AG Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2140 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 179W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 27 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 13,5A, 10V