Name: STH275N8F7-6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15474-2-ND
Price: 6.0634 EUR
Availability: InStock

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STH275N8F7-6AG
Codice DigiKey	497-15474-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-15474-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-15474-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STH275N8F7-6AG
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 180 A (Tc) 315W (Tc) A montaggio superficiale H2PAK-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STH275N8F7-6AG Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 193 nC @ 10 V
Produttore STMicroelectronics	Vgs (max) ±20V
Serie STripFET™ F7	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 13600 pF @ 50 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 315W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 180 A (Tc)	Contenitore del fornitore H2PAK-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-7, D2PAK (6 conduttori+linguetta)
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1mohm a 90 A, 10V	Codice componente base STH275
Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA

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In magazzino: 1 010

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 000	€ 1,84102	€ 1 841,02
2 000	€ 1,74743	€ 3 494,86

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,97000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 6,06340

STH275N8F7-6AG