Name: STGB30H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGB30H65DFB2TR-ND
Price: 2.928 EUR
Availability: OutOfStock

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STGB30H65DFB2
Codice DigiKey	497-STGB30H65DFB2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STGB30H65DFB2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STGB30H65DFB2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STGB30H65DFB2
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 50A D2PAK-3
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 50 A 167 W A montaggio superficiale D2PAK-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STGB30H65DFB2 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	HB2
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	50 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	90 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,1V a 15V, 30A
Potenza - Max	167 W
Energia di commutazione	270µJ (on), 310µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	90 nC
Td (on/off) a 25°C	18,4ns/71ns
Condizione di test	400V, 30A, 6,8ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	115 ns
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-4, D2PAK (3 conduttori+linguetta), TO-263AA
Contenitore del fornitore	D2PAK-3
Codice componente base	STGB30

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,40000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,92800

STGB30H65DFB2