
STF9N60M2 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 497-STF9N60M2-ND |
Produttore | |
Codice produttore | STF9N60M2 |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 5,5 A (Tc) 20W (Tc) Foro passante TO-220FP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | STF9N60M2 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 10 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±25V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 320 pF @ 100 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 20W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-220FP |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 780mohm a 3A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDPF12N60NZ | onsemi | 930 | 488-FDPF12N60NZ-ND | € 2,74000 | Simile |
| IRFIB6N60APBF | Vishay Siliconix | 755 | IRFIB6N60APBF-ND | € 4,62000 | Simile |
| TK8A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK8A65WS5X-ND | € 2,29000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 1,79000 | € 1,79 |
| 10 | € 1,14700 | € 11,47 |
| 100 | € 0,77370 | € 77,37 |
| 500 | € 0,61418 | € 307,09 |
| 1 000 | € 0,56285 | € 562,85 |
| 2 000 | € 0,51969 | € 1 039,38 |
| 6 000 | € 0,46492 | € 2 789,52 |
| 10 000 | € 0,44415 | € 4 441,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 1,79000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,18380 |




