Name: STD11N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16925-2-ND
Price: 2.562 EUR
Availability: InStock

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STD11N60DM2
Codice DigiKey	497-16925-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-16925-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-16925-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD11N60DM2
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 10 A (Tc) 110W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD11N60DM2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16.5 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ DM2	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 614 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 110W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STD11
RDSon (max) a Id, Vgs 420mohm a 5A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
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In magazzino: 1 054

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,10000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,56200

STD11N60DM2