Name: STD10P6F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13424-2-ND
Price: 1.4884 EUR
Availability: InStock

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STD10P6F6
Codice DigiKey	497-13424-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-13424-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-13424-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD10P6F6
Descrizione	MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 10 A (Tc) 35W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD10P6F6 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VI
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	160mohm a 5A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	6.4 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	340 pF @ 48 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	STD10