Name: STD10NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10021-2-ND
Price: 4.026 EUR
Availability: InStock

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STD10NM60N
Codice DigiKey	497-10021-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-10021-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-10021-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STD10NM60N
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore	14 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 10 A (Tc) 70W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STD10NM60N Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	STMicroelectronics
Serie	MDmesh™ II
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	10 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	550mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	540 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	DPAK
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	STD10