Canale N 650 V 8 A (Tc) 109W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
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STD10N60DM2

Codice DigiKey
497-16924-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-16924-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-16924-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STD10N60DM2
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 8 A (Tc) 109W (Tc) A montaggio superficiale DPAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STD10N60DM2 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM2
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
530mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
529 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
109W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
DPAK
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
STD10
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In magazzino: 1 586
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 1,69000€ 1,69
10€ 1,07700€ 10,77
100€ 0,72680€ 72,68
500€ 0,57670€ 288,35
1 000€ 0,53893€ 538,93
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2 500€ 0,47620€ 1 190,50
5 000€ 0,44393€ 2 219,65
7 500€ 0,44031€ 3 302,32
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,69000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,06180