Name: STB6N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14974-2-ND
Price: 3.0622 EUR
Availability: OutOfStock

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STB6N80K5
Codice DigiKey	497-14974-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-14974-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-14974-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB6N80K5
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 4,5 A (Tc) 85W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB6N80K5 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 100µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.5 nC @ 10 V
Serie SuperMESH5™	Vgs (max) 30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 255 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 85W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,5 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB6N80
RDSon (max) a Id, Vgs 1,6ohm a 2A, 10V

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IXFA7N80P	IXYS	195	IXFA7N80P-ND	€ 4,99000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 3,06220

STB6N80K5