Canale N 650 V 33 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
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Canale N 650 V 33 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB42N65M5

Codice DigiKey
497-STB42N65M5TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
497-STB42N65M5CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
497-STB42N65M5DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
STMicroelectronics
Codice produttore
STB42N65M5
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore
16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 33 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
STB42N65M5 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
33 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
79mohm a 16,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
4650 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
190W (Tc)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
D2PAK
Contenitore/involucro
TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Codice componente base
STB42
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In magazzino: 2 000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 10,43000€ 10,43
10€ 7,25300€ 72,53
100€ 6,23060€ 623,06
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 000€ 5,09035€ 5 090,35
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 10,43000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 12,72460