Name: STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB33N60DM6TR-ND
Price: 7.1126 EUR
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

STB33N60DM6
Codice DigiKey	497-STB33N60DM6TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 497-STB33N60DM6CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 497-STB33N60DM6DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	STMicroelectronics
Codice produttore	STB33N60DM6
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 25 A (Tc) 190W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	STB33N60DM6 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,75V a 250µA
Produttore STMicroelectronics	Carica del gate (Qg) max a Vgs 35 nC @ 10 V
Serie MDmesh™ M6	Vgs (max) ±25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1500 pF @ 100 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 190W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base STB33
RDSon (max) a Id, Vgs 128mohm a 12,5A, 10V